近日，我院应用物理系在超快光电技术研究领域的一项研究成果发表于Nature子刊《Scientific Reports》期刊。
研究成果全文于2016年4月6日投稿、5月23日录用，6月8日正式发表，题目为《Generation of an ultra-short electrical pulse with width shorter than the excitation laser》，西安理工大学是该论文的唯一作者单位，施卫教授为该论文的第一作者和通讯作者。
该研究工作在国际上首次发现：利用弱光（1.6µJ、脉宽25.7ns）触发GaAs光电导开关（GaAs PCSS），可以实现幅值9kV、脉宽7.3ns的超快电脉冲输出，其电脉冲比触发光脉冲还要快，突破了触发激光脉冲参数对GaAs PCSS超快输出特性的约束，特别是这一结果直接验证了之前提出的光激发电荷畴猝灭模式的理论。同时，该成果为所承担的国家自然科学基金重大仪器研制专项（61427814）的顺利实施奠定了理论和实验基础，有望在国际上首次实现具有雪崩倍增机制的光电导太赫兹辐射源。这标志我校在超快光电器件方面的研究工作已步入国际领先行列。
该论文的研究得到了国家重点基础研究发展计划（973）项目子课题（2014CB339800）、国家自然科学基金重大仪器研制专项（61427814）、国家自然科学面上项目（51377133）以及陕西省重点科技创新团队项目的资助（2014KCT-13）。
在兼顾高重复频率电脉冲的功率和超短脉冲宽度两方面，GaAs PCSS是目前最有希望的开关器件。在通信、雷达、电子对抗、电磁武器、核爆模拟、激光核聚变、环境保护、食品保鲜、材料改性等领域有广泛的应用。用弱光触发GaAs PCSS实现这一目标，是国际上普遍关注的前沿和热点。该项成果推动了我校在超快光电及太赫兹科学技术领域研究工作的进一步发展。
论文链接： http://www.nature.com/articles/srep27577
